Esto está determinado por las características físicas del GDT y sus diferentes funciones en el circuito.

Tensión de ruptura por impulso (p. ej., para una tasa de aumento de 1 kV/μs): Este parámetro caracteriza la velocidad de respuesta del GDT a sobretensiones transitorias rápidas. Las normas exigen una alta estabilidad (baja dispersión) porque los GDT suelen utilizarse como protección primaria y deben funcionar de forma rápida y predecible para descargar grandes corrientes de rayo (p. ej., 10/350 μs). Si la tensión de ruptura por impulso presenta una dispersión excesiva, puede provocar que no funcione cuando sea necesario (fallo de protección) o un funcionamiento prematuro (aumento de los costes de mantenimiento).

Tensión de ruptura de CC: Este parámetro caracteriza el umbral de activación del GDT bajo una tensión que cambia lentamente o una tensión continua. La norma permite un alto grado de variabilidad en este parámetro porque el GDT se encuentra en un estado de alta impedancia antes de la conducción. Su tensión de ruptura de CC solo debe ser significativamente superior a la tensión máxima de funcionamiento continuo del sistema para garantizar que no funcione incorrectamente. Su valor fundamental reside en su baja tensión residual y su alta capacidad de manejo de corriente después de la conducción. En un circuito, el GDT depende de su tensión de ruptura por impulso para responder rápidamente a los rayos, y de su tensión de ruptura de CC, que es mucho mayor que la tensión de funcionamiento, para permanecer inactivo ante las fluctuaciones normales de la red eléctrica.

Etiqueta activa: dispositivo de protección contra sobretensiones 3P+N, SPD 3P+N, protector contra sobretensiones de CA 3P+N